Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
CMPT5551E BK
TRANS PNP
- Üretici
- Central Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- CMPT5551E
CMPT5551E BK Hakkında
CMPT5551E BK, Central Semiconductor tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek frekans uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maximum kolektör akımı 600mA, DC akım kazancı (hFE) minimum 120 (10mA, 5V koşullarında) ve 300MHz transition frekansı ile orta güç seviyesi devrelerde anahtarlama ve amplifikasyon görevlerini yerine getirir. 350mW maksimum güç dağılımı ve 220V collector-emitter breakdown voltajı ile genel amaçlı uygulamalarda, ses frekansı amplifikatörleri, aydınlatma kontrol devreleri ve switch modlu güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılabilir. SOT-23 SMD paket formatında sunulan bu transistör, geniş çalışma sıcaklık aralığında (-65°C ile 150°C arasında) güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 10mA, 5V |
| Frequency - Transition | 300MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 350 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 100mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 220 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok