Transistörler - FET, MOSFET - RF

CLF1G0060S-10U

RF SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRA

Paket/Kılıf
SOT-1227B
Seri / Aile Numarası
CLF1G0060S

CLF1G0060S-10U Hakkında

CLF1G0060S-10U, Rochester Electronics tarafından üretilen GaN HEMT (Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor) tabanlı RF küçük sinyal FET transistörüdür. 3GHz ~ 3.5GHz frekans aralığında çalışan bu bileşen, 10W çıkış gücü ve 14.5dB kazançla RF amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 150V nominal gerilim ve 50V test gerilimi özelliğiyle, yüksek frekans haberleşme sistemleri, radar uygulamaları ve mikrodalga iletişim cihazlarında tercih edilir. SOT-1227B paket standardında sunulan komponentin aktif üretim statüsü bulunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Test 50 mA
Frequency 3GHz ~ 3.5GHz
Gain 14.5dB
Package / Case SOT-1227B
Part Status Active
Power - Output 10W
Supplier Device Package SOT-1227B
Transistor Type GaN HEMT
Voltage - Rated 150 V
Voltage - Test 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok