Transistörler - FET, MOSFET - RF

CLF1G0060S-10

RF PFET, 1-ELEMENT, C BAND, GALL

Paket/Kılıf
SOT-1227B
Seri / Aile Numarası
CLF1G0060S

CLF1G0060S-10 Hakkında

CLF1G0060S-10, Rochester Electronics tarafından üretilen C-Band RF uygulamaları için tasarlanmış GaN HEMT (Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor) türü güç transistörüdür. 6 GHz'de çalışan bu RF PFET (Power Field Effect Transistor), 10W çıkış gücü ve 16 dB kazanç sunarak radyo frekans güç amplifikatörleri, haberleşme sistemleri ve endüstriyel RF uygulamalarında kullanılır. 150V dereceli gerilim ve SOT-1227B paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur. 50V test geriliminde 50 mA akım değerleri ile stabil performans sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Test 50 mA
Frequency 6GHz
Gain 16dB
Package / Case SOT-1227B
Part Status Active
Power - Output 10W
Supplier Device Package SOT1227B
Transistor Type GaN HEMT
Voltage - Rated 150 V
Voltage - Test 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok