Transistörler - FET, MOSFET - RF
CE3512K2-C1
RF FET 4V 12GHZ 4MICROX
- Paket/Kılıf
- 4-Micro-X
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- CE3512K2
CE3512K2-C1 Hakkında
CE3512K2-C1, California Eastern Laboratories tarafından üretilen pHEMT FET transistördür. 12GHz çalışma frekansı ile yüksek frekans uygulamalarında kullanılır. 4V nominal voltajda, 15mA akım kapasitesi ve 125mW çıkış gücü sunmaktadır. 13.7dB kazanç ve 0.5dB gürültü figürü karakteristikleriyle düşük gürültülü amplifikatör tasarımlarında, RF alıcı ve verici devrelerinde uygulanır. 4-Micro-X paketinde sunulan bu bileşen, uydu iletişimi, radar sistemleri ve yüksek frekans endüstriyel uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 10 mA |
| Current Rating (Amps) | 15mA |
| Frequency | 12GHz |
| Gain | 13.7dB |
| Noise Figure | 0.5dB |
| Package / Case | 4-Micro-X |
| Part Status | Active |
| Power - Output | 125mW |
| Supplier Device Package | 4-Micro-X |
| Transistor Type | pHEMT FET |
| Voltage - Rated | 4 V |
| Voltage - Test | 2 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok