Transistörler - FET, MOSFET - RF
CE3512K2
RF FET 4V 12GHZ 4MICROX
- Paket/Kılıf
- 4-Micro-X
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- CE3512K2
CE3512K2 Hakkında
CE3512K2, California Eastern Laboratories tarafından üretilen pHEMT FET transistördür. 12GHz frekans bandında çalışan bu RF FET, 4V nominal gerilim ile tasarlanmıştır. 13.7dB kazanç ve 0.5dB gürültü figürü sağlayan bileşen, düşük gürültülü RF uygulamalarında kullanılır. 125mW çıkış gücü kapasitesi ile mikrodalgalı haberleşme, uydu sistemleri, radar ve yüksek frekanslı sinyal işleme devrelerinde yer alır. 4-Micro-X paket türü kompakt tasarım gerektiren uygulamalar için uygun olup, aktif durumda üretilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 10 mA |
| Current Rating (Amps) | 15mA |
| Frequency | 12GHz |
| Gain | 13.7dB |
| Noise Figure | 0.5dB |
| Package / Case | 4-Micro-X |
| Part Status | Active |
| Power - Output | 125mW |
| Supplier Device Package | 4-Micro-X |
| Transistor Type | pHEMT FET |
| Voltage - Rated | 4 V |
| Voltage - Test | 2 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok