Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
CDBJSC5650-G
DIODE, SIC STKY 5A 650V TO-220-2
- Üretici
- Comchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-220-2 Full Pack
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- CDBJSC5650
CDBJSC5650-G Hakkında
CDBJSC5650-G, Comchip Technology tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. 650V ters gerilim ve 5A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahiptir. TO-220-2 through-hole paketinde sunulan bu bileşen, 1.7V maksimum ileri gerilim düşüşü ve 100µA ters sızıntı akımı özellikleriyle dikkat çeker. Sıfır ters toparlanma süresi (trr) ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirilebilir. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 175°C) nedeniyle yüksek sıcaklık ortamlarında güvenilir çalışma sağlar. Güç kaynakları, invertörler, UPS sistemleri ve endüstriyel uygulamalarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 430pF @ 0V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 5A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-220-2 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-220F |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 5 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok