Diyotlar - Doğrultucular - Tekil

CDBJSC3650-G

DIODE, SIC STKY 3A 650V TO-220-2

Paket/Kılıf
TO-220-2 Full Pack
Seri / Aile Numarası
CDBJSC3650

CDBJSC3650-G Hakkında

CDBJSC3650-G, Comchip Technology tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. 3A ortalama doğrultulmuş akım ve 650V maksimum DC ters voltaj kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Sıfır reverse recovery time (trr) özelliği sayesinde enerji dönüşüm sistemlerinde, anahtarlama güç kaynakları (SMPS), AC/DC konverterler ve PFC devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. TO-220-2 paketinde sunulan bileşen, -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. 1.7V maksimum forward voltage ve düşük ters kaçak akımı (100µA @ 650V) ile verimli doğrultma sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Capacitance @ Vr, F 190pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) 3A (DC)
Current - Reverse Leakage @ Vr 100 µA @ 650 V
Diode Type Silicon Carbide Schottky
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 175°C
Package / Case TO-220-2 Full Pack
Part Status Active
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns
Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Supplier Device Package TO-220F
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7 V @ 3 A

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok