Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
CDBJSC10650-G
DIODE SIC 10A 650V TO-220-2
- Üretici
- Comchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-220-2 Full Pack
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- CDBJSC10650
CDBJSC10650-G Hakkında
CDBJSC10650-G, Comchip Technology tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. 650V ters voltaj ve 10A DC ortalama doğrultma akımı kapasitesine sahiptir. TO-220-2 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek sıcaklık uygulamalarında (-55°C ~ 175°C) çalışmaya uygundur. 1.7V forward voltaj değeri ve 0 ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama özellikleri sayesinde güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve endüstriyel güç elektronik uygulamalarında tercih edilir. 100µA ters kaçak akımı ve düşük kapasitans değerleri (710pF @ 0V, 1MHz) verimli ve hassas tasarımlar için kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 710pF @ 0V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-220-2 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-220F |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 10 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok