Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
CDBJFSC10650-G
DIODE, SIC STKY 10A 650V TO-220F
- Üretici
- Comchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-220-2 Full Pack
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- CDBJFSC10650
CDBJFSC10650-G Hakkında
CDBJFSC10650-G, Comchip Technology tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. 10A DC ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ve 650V ters voltaj dayanımı ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-220-2 paketinde sunulan bu bileşen, 1.7V ters kapanış voltajı ve sıfır reverse recovery time özellikleriyle enerji verimliliğini artırır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen komponent, anahtarlama güç kaynakları, PFC devreleri, invertörler ve motor sürücü uygulamalarında tercih edilir. SiC teknolojisi sayesinde düşük ters sızıntı akımı (650V'de 100µA) ve hızlı anahtarlama karakteristiği sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 710pF @ 0V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-220-2 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-220F |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 10 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok