Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
CDBGBSC20650-G
DIODE DUAL SIC 20A 650V TO-247
- Üretici
- Comchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- CDBGBSC20650
CDBGBSC20650-G Hakkında
CDBGBSC20650-G, Comchip Technology tarafından üretilen dual Silicon Carbide Schottky diyot çiftidir. Common Cathode konfigürasyonunda tasarlanmış bu bileşen, 650V DC reverse voltaj sınırlaması ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 33A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahip olan komponent, 10A akımda maksimum 1.7V forward voltajı ile çalışır. TO-247-3 paketlemesi ile Through Hole montajı destekler. -55°C ile 175°C arasında çalışan bileşen, sıfır reverse recovery time (trr) özelliğine sahip olup bu da anahtarlama kayıplarını minimalize eder. Güç kaynakları, UPS sistemleri, endüstriyel sürücüler ve yüksek frekanslı doğrultma uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 33A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100 µA @ 650 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 10 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok