Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
CDBGBSC201200-G
DIODE DUAL SIC 20A 1200V TO-247
- Üretici
- Comchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- CDBGBSC201200
CDBGBSC201200-G Hakkında
CDBGBSC201200-G, Comchip Technology tarafından üretilen dual Silicon Carbide (SIC) Schottky diyottur. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, 1200V ters gerilim ve 25.9A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahiptir. Her bir diyot için maksimum 1.8V ileri gerilim düşüşü (10A'de) ile düşük kayıplar sağlar. 0 ns reverse recovery time ile yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında etkindir. -55°C ile +175°C arasında çalışan bu bileşen, güç elektroniği, invertörler, UPS sistemleri, solar enerji dönüştürücüleri ve endüstriyel yüksek frekanslı anahtarlama devrelerinde kullanılır. Common cathode yapılandırması sayesinde simetrik uygulamalarda esneklik sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 25.9A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100 µA @ 1200 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 10 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok