Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
CDBDSC8650-G
DIODE SIC 8A 650V TO-252/DPAK
- Üretici
- Comchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- CDBDSC8650
CDBDSC8650-G Hakkında
CDBDSC8650-G, Comchip Technology tarafından üretilen 650V 8A rated Silicon Carbide Schottky diyottur. TO-252/DPak (SC-63) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, doğrultucu uygulamalarında kullanılır. 1.7V forward voltage ve 0ns reverse recovery time özellikleriyle hızlı anahtarlama gerektiren AC/DC konvertörlerde, güç kaynağı devreleri ve yüksek frekans uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında stabil işletim sunar. 25.5A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ve düşük sızıntı akımı (100µA @ 650V) ile etkinliği artırır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 550pF @ 0V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 25.5A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 8 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok