Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
CDBDSC5650-G
DIODE SIC 5A 650V TO-252/DPAK
- Üretici
- Comchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- CDBDSC5650
CDBDSC5650-G Hakkında
CDBDSC5650-G, Comchip Technology tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. 650V ters gerilim ve 5A nominal akım ile tasarlanan bu bileşen, yüksek hızlı doğrultma uygulamalarında kullanılır. Schottky teknolojisi sayesinde 0ns ters kurtarma süresi (reverse recovery time) sunarak anahtarlama kayıplarını minimize eder. TO-252 (DPak) paketinde sunulan komponentin maksimum ileriye doğru gerilimi 1.7V'tur. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen bu diyot, güç kaynakları, invertörler, motor sürücüleri ve diğer güç elektroniği uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 424pF @ 0V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 21.5A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 5 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok