Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
CDBDSC51200-G
DIODE SIC 5A 1200V TO-252/DPAK
- Üretici
- Comchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- CDBDSC51200
CDBDSC51200-G Hakkında
CDBDSC51200-G, Comchip Technology tarafından üretilen 1200V 5A kapasitesine sahip Silicon Carbide (SiC) Schottky diyotudur. TO-252/DPak (SC-63) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, maksimum 1.7V ileri voltaj düşüşü ve 100µA ters sızıntı akımı ile çalışır. 18A DC ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine ve sıfır reverse recovery time'a sahiptir. -55°C ile +175°C arasında güvenli bir şekilde çalışabilen bu diyot, güç kaynakları, DC/DC dönüştürücüler, invertörler ve yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. SiC teknolojisi sayesinde düşük ısıl direnç ve yüksek sıcaklık toleransı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 475pF @ 0V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 18A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 5 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok