Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
CDBDSC3650-G
DIODE SIC 3A 650V TO-252/DPAK
- Üretici
- Comchip Technology
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- CDBDSC3650
CDBDSC3650-G Hakkında
CDBDSC3650-G, Comchip Technology tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. 650V maksimum reverse voltaj ve 3A nominal akım kapasitesine sahip olan bu komponent, doğrultu uygulamalarında hızlı anahtarlama performansı sağlar. Zero reverse recovery time özelliği ile enerji kaybını minimize eder. TO-252 (DPAK) yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. Düşük forward voltaj düşüşü (1.7V @ 3A) sayesinde anahtarma kayıpları azaltılır. Güç kaynakları, inverterler, PFC devreleri ve yüksek frekanslı doğrultucu uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 181pF @ 0V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 11A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 3 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok