Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
CAB530M12BM3
1200V, 530A H-BRIDGE SIC MODULE
CAB530M12BM3 Hakkında
Wolfspeed CAB530M12BM3, 1200V ve 530A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip Silicon Carbide (SiC) teknolojisinde üretilen H-Bridge MOSFET modülüdür. İçerisinde 2 adet N-Channel FET barındıran bu modül, yüksek gerilim uygulamalarında etkili anahtarlama performansı sunar. 3.55mΩ maksimum RDS(on) değeri ile enerji kaybını minimize eder. -40°C ile +150°C arasında çalışabilen bu komponent, endüstriyel konvertörler, motor sürücüleri, güç kaynakları ve fotovoltaik sistemleri gibi uygulamalarda kullanılır. Chassis Mount paketi ile entegrasyon uygulaması kolaylaştırılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 530A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 2 N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1362nC @ 4V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 39.6nF @ 800V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.55mOhm @ 530A, 15V |
| Supplier Device Package | Module |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.6V @ 140mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok