Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

CAB006A12GM3

1200V 2B HALF-BRIDGE,ALN

Üretici
Wolfspeed
Paket/Kılıf
Module
Seri / Aile Numarası
CAB006A12GM3

CAB006A12GM3 Hakkında

CAB006A12GM3, Wolfspeed tarafından üretilen 1200V Silicon Carbide (SiC) yarı iletken teknolojisine dayalı bir Half-Bridge MOSFET dizisi modülüdür. 200A sürekli drenaj akımı ve 6.9mOhm On-state direnç değerleriyle tasarlanmıştır. Module formunda chassis mount konfigürasyonunda sunulan bu komponent, düşük kapı yükü (708nC @ 15V) ve düşük input kapasitansı (20.4nF @ 800V) özellikleriyle hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında kullanılabilen bu transistör dizisi, endüstriyel inverter uygulamaları, güç dönüştürücüler, motorlar sürücüleri ve yüksek voltajlı DC-DC konverterleri gibi alanlarda yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 200A (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
FET Feature Silicon Carbide (SiC)
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 708nC @ 15V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 20.4nF @ 800V
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case Module
Part Status Active
Power - Max 10mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.9mOhm @ 200A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.6V @ 69mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok