Transistörler - FET, MOSFET - RF
C4H2327N55PZ
C4H2327N55PZ/DFN-7X6.5-6-1/REELD
- Üretici
- Ampleon
- Paket/Kılıf
- 6-VDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- C4H2327N55PZ
C4H2327N55PZ Hakkında
Ampleon C4H2327N55PZ, GaN (Gallium Nitride) teknolojisine dayalı bir RF MOSFET transistördür. 2.3GHz ile 2.69GHz frekans aralığında çalışan bu bileşen, 50W çıkış gücü ve 19.6dB kazanç sağlar. 150V nominal voltaj ve 6-VDFN (7x6.5mm) paketlemesi ile sunulan transistör, hücresel ağlar, kablosuz haberleşme altyapıları, radar ve endüstriyel RF uygulamalarında kullanılır. 30mA test akımı ve 50V test voltajı koşullarında belirtilen özellikleri gösterir. GaN teknolojisi sayesinde yüksek verimlilik ve kompakt boyutlar sağlayan bu transistör, baz istasyonları, power amplifiers ve RF transmitter tasarımlarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 30 mA |
| Frequency | 2.3GHz ~ 2.69GHz |
| Gain | 19.6dB |
| Package / Case | 6-VDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Output | 50W |
| Supplier Device Package | 6-DFN (7x6.5) |
| Transistor Type | GaN |
| Voltage - Rated | 150 V |
| Voltage - Test | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok