Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
BYV32E-300PQ
DUAL ULTRAFAST POWER DIODE
- Üretici
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Diziler
- Seri / Aile Numarası
- BYV32E
BYV32E-300PQ Hakkında
BYV32E-300PQ, WeEn Semiconductors tarafından üretilen dual ultrafast power diyotudur. TO-220-3 paketinde sunulan bu diyot, 10A ortalama rectified akım ve 300V maksimum reverse voltaj özellikleriyle doğrultma uygulamalarında kullanılır. 35ns reverse recovery time ve fast recovery karakteristiği sayesinde anahtarlama güç kaynakları, invertörler ve endüstriyel enerji dönüştürme devrelerinde tercih edilir. Common cathode konfigürasyonu ile dual diyot tasarımı, kompakt ve verimli devre tasarımlarına olanak tanır. -55°C ile +175°C junction sıcaklık aralığında çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 10A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 20 µA @ 300 V |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Cathode |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | 175°C (Max) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-220E |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 300 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25 V @ 10 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok