Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
BYV30JT-600PQ
DIODE GEN PURP 600V 30A TO-3P
- Üretici
- WeEn Semiconductors Co., Ltd
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BYV30JT
BYV30JT-600PQ Hakkında
BYV30JT-600PQ, WeEn Semiconductors tarafından üretilen 600V ve 30A kapasiteli genel amaçlı hızlı iyileştirme diyotudur. TO-3P paketinde sunulan bu bileşen, ortalama doğrultulmuş akım değeri 30A, maksimum forward voltajı 1.8V @ 30A ve 65 ns reverse recovery time'a sahiptir. 10 µA ters sızıntı akımı ile 175°C'e kadar çalışabilen bu diyot, enerji dönüştürme uygulamalarında, güç kaynakları, UPS sistemleri, kaynak makineleri ve endüstriyel şarj devrelerinde kullanılır. Through hole montajı için tasarlanmış BYV30JT-600PQ, güvenilir doğrultma ve hızlı anahtarlama gerektiren uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 30A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 600 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | 175°C (Max) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 65 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 30 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok