IGBT Transistörler - Modüller
BYM300B170DN2HOSA1
IGBT MOD 650V 40A 20MW
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- BYM300B170DN2
BYM300B170DN2HOSA1 Hakkında
BYM300B170DN2HOSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 650V/40A kapasiteli IGBT modülüdür. Trench Field Stop teknolojisini kullanan bu bileşen, 2 bağımsız konfigürasyona sahip ve -40°C ile +150°C (TJ) arasında çalışabilir. Maksimum Vce(on) değeri 15V, 25A'de 1.55V olup, 20mW güç dissipasyonuna sahiptir. NTC Thermistor entegrasyonu ile ısı yönetimi sağlayan modül, şasi montaj tipinde sunulmaktadır. Endüstriyel kontrol, motor sürücüleri, güç inverterleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılan bu bileşen, Last Time Buy statüsündedir. Input Capacitance (Cies) değeri 25V'de 2.8nF'dir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | 2 Independent |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 40 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 40 µA |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 2.8 nF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | Yes |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power - Max | 20 mW |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.55V @ 15V, 25A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok