Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
BYM11-800HE3_A/H
DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- DO-213AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BYM11
BYM11-800HE3_A/H Hakkında
BYM11-800HE3_A/H, Vishay tarafından üretilen 800V ters voltaj ve 1A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahip hızlı iyileştirme diyodudur. DO-213AB (MELF) cam paketinde sunulan bu bileşen, 500 ns reverse recovery time ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. Maksimum 1.3V forward voltage ve 5 µA ters sızıntı akımı özellikleriyle güç kaynakları, anahtarlama devreleri, boost konvertörleri ve ters koruma uygulamalarında kullanılır. -65°C ile 175°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 800 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 175°C |
| Package / Case | DO-213AB, MELF (Glass) |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 500 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-213AB |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 800 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 1 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok