Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
BYG23M M2G
DIODE GEN PURP 1.5A DO214AC
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SMA
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BYG23M
BYG23M M2G Hakkında
BYG23M M2G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen 1.5A doğrultma diyodudur. Fast recovery tipinde tasarlanmış olup, 65 ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. DO-214AC (SMA) yüzey montajlı paket ile kompakt devre tasarımlarına uygundir. 1000V ters gerilim dayanımı ve -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilme özelliğine sahiptir. Anahtarlamalı güç kaynakları, adaptörler, inverterler ve benzer doğrultma devrelerinde uygulanır. 1.7V maksimum ileri gerilim düşüşü ve 1 µA ters sızıntı akımı karakteristiğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1.5A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1 µA @ 1000 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-214AC, SMA |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 65 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-214AC (SMA) |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 1.5 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok