Diyotlar - Doğrultucular - Tekil

BYG10MHE3_A/I

DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
SMA
Seri / Aile Numarası
BYG10MHE3

BYG10MHE3_A/I Hakkında

BYG10MHE3_A/I, Vishay tarafından üretilen 1000V avalanche diyotudur. Surface mount DO-214AC (SMA) pakette sunulan bu bileşen, 1.5A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahiptir. Ters yönlü 1µA kaçak akımı ile yüksek geri dönüş gerilim tutma özelliği gösterir. 4µs reverse recovery time ile standart kurtarma hızına sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu diyot, güç kaynağı uygulamaları, aşırı gerilim koruması ve yüksek gerilim doğrultma devrelerinde kullanılır. 1.15V maksimum ileri gerilim düşüşü ile verimliliğe katkı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Average Rectified (Io) 1.5A
Current - Reverse Leakage @ Vr 1 µA @ 1000 V
Diode Type Avalanche
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Package / Case DO-214AC, SMA
Part Status Active
Reverse Recovery Time (trr) 4 µs
Speed Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package DO-214AC (SMA)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.15 V @ 1.5 A

Kaynaklar

Datasheet

BYG10MHE3_A/I PDF

İndir →

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok