Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
BYG10MHE3_A/H
DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SMA
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BYG10MHE3
BYG10MHE3_A/H Hakkında
BYG10MHE3_A/H, Vishay tarafından üretilen 1000V avalanche diyotudur. Surface mount DO-214AC (SMA) paketinde sunulan bu bileşen, 1.5A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesiyle tasarlanmıştır. Maksimum ileri voltajı 1.15V'dir ve reverse leakage akımı 1kV'de 1µA olarak belirlenmiştir. 4µs reverse recovery time özelliğine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilmektedir. Yüksek voltaj doğrultma uygulamaları, güç kaynakları ve koruma devreleri gibi endüstriyel elektronik sistemlerde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 1.5A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1 µA @ 1000 V |
| Diode Type | Avalanche |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-214AC, SMA |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 4 µs |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-214AC (SMA) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.15 V @ 1.5 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok