Diyotlar - Doğrultucular - Tekil

BYG10M-M3/TR3

DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
SMA
Seri / Aile Numarası
BYG10M

BYG10M-M3/TR3 Hakkında

BYG10M-M3/TR3, Vishay tarafından üretilen 1000V avalanche diyotudur. 1.5A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile tasarlanmış olup, surface mount DO-214AC (SMA) paketinde sunulmaktadır. Reverse recovery time 4 µs olan bu bileşen, hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. Maksimum forward voltajı 1.5A'de 1.15V olup, -55°C ile 150°C arasında çalışmak üzere tasarlanmıştır. Avalanche diyotlar genellikle overvoltage koruma, reverse polarity koruması ve inductive load anahtarlaması gibi uygulamalarda tercih edilmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Average Rectified (Io) 1.5A
Current - Reverse Leakage @ Vr 1 µA @ 1000 V
Diode Type Avalanche
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Package / Case DO-214AC, SMA
Part Status Active
Reverse Recovery Time (trr) 4 µs
Speed Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package DO-214AC (SMA)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.15 V @ 1.5 A

Kaynaklar

Datasheet

BYG10M-M3/TR3 PDF

İndir →

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok