Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
BYG10M-E3/TR3
DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SMA
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BYG10M
BYG10M-E3/TR3 Hakkında
BYG10M-E3/TR3, Vishay tarafından üretilen 1000V reverse voltaj ile çalışabilen avalanche diyotudur. 1.5A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahip olan bu bileşen, surface mount DO-214AC (SMA) paketi içerisinde sunulmaktadır. 1.15V forward voltajı ile yüksek verimlilik sağlar. Reverse leakage akımı 1µA @ 1000V ile çok düşüktür. 4µs reverse recovery time'ı ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. -55°C ile 150°C arasında güvenli şekilde çalışır. Yüksek voltaj uygulamalarında, koruma devrelerinde ve anahtarlama güç kaynakları tasarımında kullanılabilir. Standard recovery hızı >500ns, >200mA akım seviyesinde ölçülmüştür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 1.5A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1 µA @ 1000 V |
| Diode Type | Avalanche |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-214AC, SMA |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 4 µs |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-214AC (SMA) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.15 V @ 1.5 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok