Transistörler - IGBT - Tekil
BUP213
IGBT 1200V 32A 200W TO220
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- BUP213
BUP213 Hakkında
BUP213, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 32A sürekli kolektör akımı ve 64A darbe akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 200W maksimum güç dağıtımına sahip bu komponent, TO-220-3 paketinde sunulmaktadır. 3.2V Vce(on) değeri ile düşük konduktif kayıplara sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilmektedir. Açılış ve kapanış süreleri sırasıyla 70ns ve 400ns'dir. 1200V yüksek voltaj derecelendirmesi nedeniyle endüstriyel uygulamalar, motor kontrolü, şarj cihazları ve güç kaynakları gibi yüksek güçlü anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Komponent şu anda üretilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 32 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 64 A |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 200 W |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Td (on/off) @ 25°C | 70ns/400ns |
| Test Condition | 600V, 15A, 82Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 15A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok