Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BULB49DT4
TRANSISTOR HIGH VOLTAGE
- Üretici
- STMicroelectronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Seri / Aile Numarası
- BULB49DT4
BULB49DT4 Hakkında
BULB49DT4, STMicroelectronics tarafından üretilen yüksek voltaj NPN bipolar junction transistörü (BJT) olup, 450V collector-emitter breakdown voltajı ile endüstriyel ve güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 5A maksimum collector akımı, 80W maksimum güç yayılımı ve 150°C işletme sıcaklığı kapasitesiyle motor kontrol, anahtarlama devreleri, güç amplifikasyonu ve endüstriyel denetim sistemlerinde yer alır. Surface mount D²PAK (TO-263) paketi ile yüksek yoğunluk PCB tasarımlarına uygun, 1.2V saturation voltajı ile verimli anahtarlama performansı sağlar. Ürün şu anda kullanım dışıdır (obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 5 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 4 @ 7A, 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 80 W |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.2V @ 800mA, 4A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 450 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok