Özel IC'ler

BUK9K89-100E115

NOW NEXPERIA BUK9K89-100E - POWE

Paket/Kılıf
SOT-1205
Kategori
Özel IC'ler
Seri / Aile Numarası
BUK9K89-100E

BUK9K89-100E115 Hakkında

BUK9K89-100E,115, Rochester Electronics tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistör dizisidir. Logic Level Gate özelliğine sahip bu bileşen, 100V drain-source gerilimi ve 12.5A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. SOT-1205 LFPAK56 paketinde sunulan komponent, 38W maksimum güç dağıtımı sağlar. 85mOhm (10V, 5A) RDS(on) değeri ve 16.8nC gate charge karakteristiğiyle, güç elektronik uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel kontrol, motor sürücüleri ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında tercih edilir. Logic level gate özelliği, düşük gerilim kontrol sinyalleriyle doğrudan çalıştırılabilmesini sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12.5A
Part Status Active
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.8nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1108pF @ 25V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case SOT-1205, 8-LFPAK56
Power - Max 38W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package LFPAK56D
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok