Özel IC'ler
BUK7E1R9-40E127
NOW NEXPERIA BUK7E1R9-40E - POWE
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Özel IC'ler
- Seri / Aile Numarası
- BUK7E1R9-40E
BUK7E1R9-40E127 Hakkında
BUK7E1R9-40E,127, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltajında 120A sürekli drenaj akımı sağlayan bu bileşen, TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulmaktadır. 1.9mΩ maksimum on-state direnci ile düşük güç kaybı karakteristiğine sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu MOSFET, güç yönetimi uygulamaları, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve yük anahtarlaması gibi endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında kullanılır. ±20V gate-source voltajı ve 10V drive voltajı ile kontrol edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Part Status | Active |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 118 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9700 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Power Dissipation (Max) | 324W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | I2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok