Özel IC'ler
BUK766R0-60E118
NOW NEXPERIA BUK766R0-60E 75A, 6
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Özel IC'ler
- Seri / Aile Numarası
- BUK766R0-60E
BUK766R0-60E118 Hakkında
BUK766R0-60E,118, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltaj ve 75A sürekli dren akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 6mΩ maksimum RDS(on) değeriyle düşük direnç uygulamaları için uygundur. -55°C ile +175°C arasında çalışan cihazda 182W güç dağıtabilme kapasitesi vardır. Motor sürücüleri, anahtarlama güç kaynakları, enerji yönetimi sistemleri ve yüksek akım anahtarlama devrelerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Tc) |
| Part Status | Active |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 62 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4520 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Power Dissipation (Max) | 182W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok