Özel IC'ler
BUK765R3-40E118
NOW NEXPERIA BUK765R3-40E - POWE
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Özel IC'ler
- Seri / Aile Numarası
- BUK765R3-40E
BUK765R3-40E118 Hakkında
BUK765R3-40E,118, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilim ve 75A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. D2PAK (TO-263) yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlara uygundur. 4.9mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Motor kontrol, güç kaynakları, LED sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 137W maksimum güç dissipasyonu sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Tc) |
| Part Status | Active |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2772 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Power Dissipation (Max) | 137W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.9mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok