Özel IC'ler
BUK753R8-80E127
NOW NEXPERIA 120A, 80V, 0.004OHM
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Özel IC'ler
- Seri / Aile Numarası
- BUK753R8-80E
BUK753R8-80E127 Hakkında
BUK753R8-80E,127, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source gerilim ile 120A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 4mOhm düşük RDS(on) değeri sayesinde enerji kaybını minimize eder. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 30MHz üzeri frekans uygulamalarına uygundir. Güç elektronikleri, motor kontrolü, anahtarlama devreleri ve güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. -55°C ile +175°C sıcaklık aralığında çalışabilir ve 349W maksimum güç dağıtabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Part Status | Active |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 169 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 12030 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Power Dissipation (Max) | 349W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok