Özel IC'ler
BUK6607-75C118
NOW NEXPERIA BUK6607-75C - POWER
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Özel IC'ler
- Seri / Aile Numarası
- BUK6607-75C
BUK6607-75C118 Hakkında
BUK6607-75C,118, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 75V drain-source gerilimi ve 100A sürekli dren akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 7mΩ RDS(on) direnci ile düşük ısıl kaybı sağlayıp 204W güç dağıtabilir. TO-263-3 (D²PAK) yüzey montaj paketinde sunulur. -55°C ile 175°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilir. Güç elektroniği uygulamalarında, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve anahtarlama devreleri gibi yüksek akım gerektiren alanlarda kullanılır. 123nC kapı yükü ile hızlı anahtarlama özelliği sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Part Status | Active |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 123 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7600 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Power Dissipation (Max) | 204W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok