Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BUH51G

TRANS NPN 500V 3A TO-225

Paket/Kılıf
TO-225AA
Seri / Aile Numarası
BUH51G

BUH51G Hakkında

BUH51G, Rochester Electronics tarafından üretilen yüksek voltaj NPN bipolar junction transistörüdür. 500V breakdown voltajı ve 3A maksimum kollektör akımı ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 50W maksimum güç dağılımına sahip bu transistör, TO-225AA ve TO-126 paketlerine sahiptir. Vce saturation voltajı 500mV olup, 23MHz transition frekansına sahip olup, endüstriyel kontrol devreleri, güç anahtarlaması uygulamaları ve RF amplifikatör tasarımlarında kullanılabilir. -65°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 3 A
Current - Collector Cutoff (Max) 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 8 @ 1A, 1V
Frequency - Transition 23MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-225AA, TO-126-3
Part Status Obsolete
Power - Max 50 W
Supplier Device Package TO-126
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 200mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 500 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok