Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
BSZ215CHXTMA1
MOSFET N/P-CH 20V 8TSDSON
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerTDFN
- Seri / Aile Numarası
- BSZ215
BSZ215CHXTMA1 Hakkında
BSZ215CHXTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen tamamlayıcı N ve P-kanal MOSFET çiftidir. 20V Drain-Source gerilimi ile çalışan bu transistör dizisi, logic level gate sürüşü (2.5V) sayesinde düşük voltaj uygulamalarına uygundur. N-kanal 5.1A, P-kanal 3.2A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 55mΩ düşük RDS(on) değeri ile güç tüketimi minimize edilir. Surface mount 8-PowerTDFN pakajda sunulan komponent, dijital kontrol devreleri, güç yönetimi, analog anahtarlama ve sinyal multiplexing uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı, endüstriyel ve otomotiv uygulamaları için uygun kılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.1A, 3.2A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| FET Type | N and P-Channel Complementary |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.8nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 419pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerTDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2.5W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 5.1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | PG-TSDSON-8 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 110µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok