Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

BSZ15DC02KDHXTMA1

MOSFET N/P-CH 20V 5.1/3.2A TDSON

Paket/Kılıf
8-PowerTDFN
Seri / Aile Numarası
BSZ15DC02

BSZ15DC02KDHXTMA1 Hakkında

BSZ15DC02KDHXTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen tamamlayıcı N ve P-kanal MOSFET transistörlü bir dizi bileşenidir. 20V Drain-Source gerilimi ile tasarlanan bu bileşen, N-kanalda 5.1A ve P-kanalda 3.2A sürekli drain akımı sağlar. Logic level gate sürüşü ve 2.5V drive özelliği sayesinde düşük voltajlı kontrol sinyalleri ile kullanılabilir. 55mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sunar. Surface mount TDSON paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol devreleri gibi birçok uygulamada kullanım için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.1A, 3.2A
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate, 2.5V Drive
FET Type N and P-Channel Complementary
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 419pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Part Status Active
Power - Max 2.5W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 5.1A, 4.5V
Supplier Device Package PG-TSDSON-8-FL
Vgs(th) (Max) @ Id 1.4V @ 110µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok