Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
BSZ0910NDXTMA1
DIFFERENTIATED MOSFETS
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 8-PowerVDFN
- Seri / Aile Numarası
- BSZ0910NDXTMA1
BSZ0910NDXTMA1 Hakkında
BSZ0910NDXTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET dizisidir. Logic level gate kontrolü ile 4.5V sürüldüğünde 9A sürekli dren akımı sağlayabilen bu bileşen, 30V dren-kaynak gerilimi ile çalışmaktadır. 9.5mOhm RDS(on) değeri ile düşük ısı kaybı sağlar. Surface mount PG-WISON-8 paketinde sunulan komponent, -55°C ile 150°C arasında güvenli şekilde çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç yönetimi devreleri ve DC-DC dönüştürücülerde kullanıma uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.5A (Ta), 25A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.6nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 800pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power - Max | 1.9W (Ta), 31W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5mOhm @ 9A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-WISON-8 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok