Transistörler - JFET

BSV80

IC FET N-CH TO-18

Paket/Kılıf
TO-18-2
Seri / Aile Numarası
BSV80

BSV80 Hakkında

BSV80, Central Semiconductor tarafından üretilen N-Channel JFET transistördür. TO-18 metal kapa paketinde sunulan bu komponent, 40V drain-source gerilimi ve 10mA drain akımı özelliğine sahiptir. 60 Ohm RDS(On) direnci ile düşük sinyalli anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Maksimum 350mW güç dağıtabilir ve -65°C ile 175°C arasında çalışır. 5pF giriş kapasitansı ve 1V kesme gerilimi, hassas analog devrelerde ve ses frekansı uygulamalarında tercih edilen özellikleridir. Eski üretim tarihi nedeniyle arşiv ve onarım projelerinde bulunabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 10 mA @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5pF @ 10V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Part Status Obsolete
Power - Max 350 mW
Resistance - RDS(On) 60 Ohms
Supplier Device Package TO-18
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id 1 V @ 1 nA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok