Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BSV52LT1G

TRANS NPN 12V 100MA SOT23-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BSV52

BSV52LT1G Hakkında

BSV52LT1G, onsemi tarafından üretilen yüksek hızlı NPN bipolar junction transistördür. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montaj paketi içerisinde sunulan bu bileşen, maksimum 100 mA kollektör akımı ve 12V kırılma gerilimi ile çalışır. 400 MHz transition frequency özelliğine sahip olması, hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanımına uygun kılar. Maksimum 225 mW güç tüketimi ile düşük güç gerektiren devrelerde tercih edilir. DC akım kazancı (hFE) 40 ile başlayan değerler sunmakta, -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında istikrarlı performans göstermektedir. Uydu haberleşme, RF amplifikasyon, aşama kontrol devrelerinde ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition 400MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 225 mW
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 12 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok