Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BSV52LT1
TRANS NPN 12V 0.1A SOT-23
BSV52LT1 Hakkında
BSV52LT1, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, SOT-23 yüzey montajlı paket içerisinde sunulmaktadır. 12V collector-emitter breakdown voltajı ve 100mA maksimum collector akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 400MHz transition frequency değeri ile orta hızlı anahtarlama işlemlerinde tercih edilebilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, sinyal amplifikasyonu, dijital lojik devrelerde sürücü transistörü olarak ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında kullanıldığı görülmektedir. 225mW maksimum güç ve 40 minimum hFE (10mA, 1V koşulunda) değerleriyle kompakt elektronik tasarımlarda tercih edilmektedir. Bileşen üretiminden kaldırılmış olup, stok miktarları sınırlıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 10mA, 1V |
| Frequency - Transition | 400MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 225 mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok