Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BSV52,215

TRANS NPN 12V 100MA TO236AB

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BSV52

BSV52,215 Hakkında

BSV52,215, Nexperia tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). TO-236-3 (SOT-23-3) kılıfında sunulan bu bileşen, 12V maksimum collector-emitter gerilimi ve 100mA maksimum kolektör akımı ile çalışmaktadır. 500MHz transition frequency özellikleri sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. 250mW maksimum güç tüketimine sahip olan BSV52,215, düşük sinyal amplifikasyon, küçük sinyal anahtarlama ve genel amaçlı bipolar transistör uygulamalarında tercih edilir. DC akım kazancı (hFE) minimum 40 değerinde belirtilmiştir. Surface mount montaj tipi ile yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 400nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition 500MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 250 mW
Supplier Device Package TO-236AB
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 12 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok