Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BSS63T116

BSS63 IS A SOT-23 PACKAGE TRANSI

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BSS63

BSS63T116 Hakkında

BSS63T116, ROHM Semiconductor tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). SOT-23 yüzey montajlı pakette sunulan bu transistör, düşük sinyal uygulamalarında ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde kullanılmaktadır. 100 mA maksimum kollektör akımı, 200 MHz geçiş frekansı ve 100 V collector-emitter breakdown gerilimi özellikleriyle, ses amplifikasyonu, sinyal kontrol ve düşük güç anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 350 mW maksimum güç yayılımı ile sınırlı güç bütçesi gerektiren tasarımlara uygundur. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir. Şu anda obsolete statüsündedir ve yeni tasarımlarda yerine konabilecek güncel alternatiflerin değerlendirilmesi önerilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition 200MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power - Max 350 mW
Supplier Device Package SST3
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok