Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BSS63LT1G

TRANS PNP 100V 100MA SOT23-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BSS63

BSS63LT1G Hakkında

BSS63LT1G, onsemi tarafından üretilen bir PNP bipolar junction transistörtür (BJT). Surface mount SOT-23-3 paketinde sunulan bu transistör, 100V VCBO breakdown voltajı ve 100mA maksimum kolektör akımı kapasitesine sahiptir. 225mW güç dağılımı desteğiyle, düşük sinyalli anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 95MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. -55°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar. Elektronik kontrol devreleri, ses amplifikatörleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 25mA, 1V
Frequency - Transition 95MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 225 mW
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 2.5mA, 25mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok