Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BSS5130T116
BSS5130 IS A SOT-23 PACKAGE TRAN
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BSS5130
BSS5130T116 Hakkında
BSS5130T116, ROHM Semiconductor tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, kompakt SOT-23 (TO-236-3) paketinde sunulmaktadır. Maksimum 1A kollektör akımı, 200mW güç sınırlaması ve 30V kollektör-emitter yıkılma gerilimi özellikleri ile genel amaçlı anahtarlama ve düşük güç amplifikasyon uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 270 minimum hFE değeri (100mA, 2V'de) ve 380mV maksimum doyum gerilimi ile verimli anahtar karakteristiği sunar. 320MHz geçiş frekansı hızlı anahtarlama gerektiren devrelerde tercih edilebilir. Yüksek entegrasyon yoğunluğu gerektiren gürültü azaltma, ses frekansı amplifikasyonu, otomasyon kontrol devreleri ve tüketici elektroniği uygulamalarında yer alan bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 270 @ 100mA, 2V |
| Frequency - Transition | 320MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 200 mW |
| Supplier Device Package | SST3 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 380mV @ 25mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok