Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

BSS5130AT116

TRANS 100V 100A SOT-23

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BSS5130

BSS5130AT116 Hakkında

BSS5130AT116, ROHM Semiconductor tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek akım anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. 30V collector-emitter breakdown voltajı ve 100A akım kapasitesi ile güç anahtarlama devrelerinde, motor kontrolü, LED sürücüleri ve ses amplifikasyon sistemlerinde kullanılır. SOT-23 surface mount paketi ile kompakt tasarımlar oluşturmaya olanak tanır. 320MHz transition frequency'si sayesinde hızlı komutasyon gerektiren uygulamalarda etkinlik sağlar. 150°C maksimum işletme sıcaklığında güvenilir çalışır. 200mW maksimum güç disipasyonu ve 270 minimum DC current gain değerleri ile ekonomik ve verimli devre tasarımına destek olur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 1 A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 270 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition 320MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 200 mW
Supplier Device Package SST3
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 380mV @ 25mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok