Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
BSS5130AHZGT116
BSS5130AHZG IS A SOT-23 PACKAGE
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Seri / Aile Numarası
- BSS5130
BSS5130AHZGT116 Hakkında
BSS5130AHZGT116, ROHM Semiconductor tarafından üretilen yüksek hızlı PNP bipolar transistördür. SOT-23 yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, 1A maksimum kolektör akımı ve 320MHz transition frequency ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 200mW güç dağıtım kapasitesi ve 30V breakdown voltajı ile, taşınabilir cihazlar, ses uygulamaları ve genel sinyal işleme devrelerinde yaygın olarak tercih edilir. 150°C'ye kadar çalışabilen bileşen, 270 minimum DC current gain değeri ile kararlı işletme karakteristiği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 270 @ 100mA, 2V |
| Frequency - Transition | 320MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Supplier Device Package | SST3 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 380mV @ 25mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok