Transistörler - JFET

BSR58LT1G

JFET N-CH 40V 350MW SOT23

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BSR58

BSR58LT1G Hakkında

BSR58LT1G, onsemi tarafından üretilen N-Channel JFET transistördür. SOT-23 (TO-236-3) yüzey montajlı paket ile sunulan bu komponent, maksimum 40V drenaj-kapı bölge gerilimi ve 350mW güç dağılımı kapasitesi ile çalışır. 8 mA drenaj akımı (Idss @ 15V) ve 60 Ohm RDS(On) değerine sahiptir. -65°C ile +150°C sıcaklık aralığında stabil performans gösterir. VGS off gerilimi 800 mV @ 1µA olarak belirlenmiştir. Anahtarlama uygulamaları, düşük sinyal amplifikasyonu ve yüksek giriş impedanslı devreler için uygun olan bu JFET, günümüzde üretim dışı (Obsolete) olup, stok ürünlerden temin edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 8 mA @ 15 V
FET Type N-Channel
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power - Max 350 mW
Resistance - RDS(On) 60 Ohms
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) 40 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id 800 mV @ 1 µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok