Transistörler - JFET
BSR58,215
JFET N-CH 40V 250MW SOT23
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - JFET
- Seri / Aile Numarası
- BSR58
BSR58,215 Hakkında
BSR58,215, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-channel JFET transistörüdür. 40V drain-source gerilimi ve 250mW maksimum güç kapasitesine sahip bu bileşen, SOT-23 yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 8mA drain akımı (Idss @ 15V, Vgs=0) ve 60 Ohm RDS(On) değerleri ile belirtilir. -150°C çalışma sıcaklığında kullanılabilir. Anahtarlama devreleri, sinyal amplifikasyonu ve impedans dönüştürme uygulamalarında tercih edilir. Küçük boyutu ve düşük güç tüketimi sayesinde taşınabilir cihazlar ve kompakt elektronik tasarımlarında yaygın olarak kullanılmıştır. Not: Bu ürün üretimi sonlandırılmıştır (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 8 mA @ 15 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| FET Type | N-Channel |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 250 mW |
| Resistance - RDS(On) | 60 Ohms |
| Supplier Device Package | SOT-23 (TO-236AB) |
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 40 V |
| Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 800 mV @ 0.5 nA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok